開(kai)關電(dian)源(yuan)作為運用于開(kai)關狀況(kuang)的(de)(de)能量轉化設備，開(kai)關電(dian)源(yuan)的(de)(de)電(dian)壓、電(dian)流改(gai)變率很高，所以產生的(de)(de)干擾強(qiang)度也比較大(da)。

干(gan)擾源主(zhu)要會集在(zai)功率(lv)開關(guan)期間(jian)以及與之相連的(de)散(san)熱器(qi)和(he)(he)高平變(bian)壓(ya)器(qi)，相關(guan)于(yu)數(shu)字電路干(gan)擾源的(de)方位較為清楚。開關(guan)頻率(lv)不高（從(cong)幾十千(qian)赫和(he)(he)數(shu)兆赫茲），主(zhu)要的(de)干(gan)擾形(xing)式是傳導干(gan)擾和(he)(he)近(jin)(jin)場(chang)干(gan)擾。而印(yin)刷線(xian)路板（PCB）走線(xian)通常(chang)選用手工布線(xian)，具有(you)**的(de)隨意性，這增加了 PCB 散(san)布參(can)數(shu)的(de)提取(qu)和(he)(he)近(jin)(jin)場(chang) 干(gan)擾估(gu)量的(de)難度(du)。

1MHZ 以內：以差模(mo)干擾為主，增大 X 電容(rong)就可處理；

1MHZ—5MHZ：差模共(gong)模混合，選用輸入端并一(yi)系(xi)列X電容來濾除差摸干擾并分析出是哪種(zhong)干擾超支并處理;

5M：以上(shang)(shang)以共摸(mo)(mo)干擾為主，選用抑制共摸(mo)(mo)的(de)辦(ban)法。關于外(wai)殼接地(di)的(de)，在地(di)線上(shang)(shang)用一個(ge)磁盤(pan)繞2圈會對10MHZ以上(shang)(shang)干擾有較(jiao)大的(de)衰減（diudiu2006）;

關于25--30MHZ不過能夠選用加(jia)大對地Y電容、在變(bian)壓器外面包銅皮(pi)、改變(bian)PCBLAYOUT、輸出線前面接一個雙線并繞的小磁環，最少繞10圈、在輸出整流管兩頭并 RC 濾波器。

30—50MHZ：遍及是 MOS 管高速(su)注(zhu)冊關斷引起，能(neng)夠用增大MOS驅動電阻，RCD緩沖電路選用 1N4007慢(man)管，VCC供電電壓用 1N4007慢(man)管來處理。

100—200MHZ：遍及是輸出整流(liu)管反向(xiang)恢復電流(liu)引起，能夠在整流(liu)管上串(chuan)磁珠

100MHz—200MHz：之間(jian)大部分出于 PFCMOSFET及(ji)PFC二極管(guan)，現在MOSFET及(ji)PFC二極管(guan)串(chuan)磁珠有作用(yong)，水平方(fang)(fang)向基(ji)本能夠處(chu)理問(wen)題(ti)，但(dan)筆直方(fang)(fang)向就(jiu)沒辦(ban)法了。

開關電源的輻射一般只會影(ying)響到 100M 以下的頻段(duan)。也能夠(gou)在 MOS，二極管上加相(xiang)應吸(xi)收回路，但(dan)效率會有所下降。

設計開關(guan)電(dian)源時防止 EMI 的措施

1.把(ba)噪音電(dian)路節點的(de) PCB 銅箔(bo)面積**極限地(di)減小;如開關管(guan)的(de)漏極、集電(dian)極，初次級繞組的(de)節點，等。

2.使輸入和輸出端遠離噪音元件，如變(bian)壓(ya)器線包，變(bian)壓(ya)器磁芯(xin)，開關管的散(san)熱(re)片，等等。

3.使噪音元件（如未遮(zhe)蓋(gai)的(de)(de)變壓器線(xian)包，未遮(zhe)蓋(gai)的(de)(de)變壓器磁芯(xin)，和開關(guan)管，等等）遠離外殼邊(bian)際，因(yin)為(wei)在正常操作(zuo)下外殼邊(bian)際很可能(neng)靠近外面的(de)(de)接地線(xian)。

4.如果變(bian)壓(ya)器沒有(you)運用電場屏(ping)蔽，要堅持(chi)屏(ping)蔽體(ti)和散熱片(pian)遠離(li)變(bian)壓(ya)器。

5.盡(jin)量減小(xiao)以下電流環的(de)面(mian)積：次(ci)級（輸出）整(zheng)流器，初級開關(guan)功率(lv)器材，柵極(ji)（基極(ji)）驅動線路，輔佐整(zheng)流器。

6.不(bu)要將門極(ji)（基極(ji)）的驅動返饋環路和初級開關電路或輔(fu)佐整(zheng)流電路混在(zai)一同。

7.調整優化阻尼電阻值(zhi)，使(shi)它在(zai)開(kai)關的死(si)區(qu)時間(jian)里不產生振鈴響聲。

8.防止 EMI 濾(lv)波電感飽滿(man)。

9.使拐彎節點(dian)和(he)次級電路的(de)(de)元件遠離初級電路的(de)(de)屏蔽體或許開關(guan)管的(de)(de)散熱片。

10.堅持初(chu)級電路的擺動的節點和元(yuan)件本體(ti)遠離(li)屏蔽或(huo)許散(san)熱片。

11.使高頻輸入的 EMI 濾波(bo)器靠近輸入電(dian)纜(lan)或許連接(jie)器端。

12.堅持高頻輸(shu)出的 EMI 濾波器(qi)靠近(jin)輸(shu)出電線端子。

13.使 EMI 濾波器對面(mian)的(de) PCB 板的(de)銅箔(bo)和元件(jian)本體之間堅持一(yi)定距離。

14.在(zai)輔佐線圈的整流器的線路上(shang)放一些(xie)電阻。

15.在(zai)磁棒線圈上并(bing)聯阻尼電阻。

16.在輸出 RF 濾波器(qi)兩頭并聯阻尼(ni)電阻。

17.在(zai) PCB 設計時答應放 1nF/500V 陶瓷電容器或許還能夠(gou)是(shi)一(yi)串電阻，跨接在(zai)變壓器的初級(ji)的靜端和輔佐繞(rao)組(zu)之間。

18.堅(jian)持 EMI 濾波(bo)器遠離(li)功率變壓器;尤其是防止定位(wei)在繞包的端部(bu)。

19.在(zai)(zai) PCB 面積滿足的情(qing)況下(xia)，可(ke)在(zai)(zai) PCB 上留下(xia)放(fang)屏蔽繞組(zu)用的腳(jiao)位和放(fang) RC 阻尼器(qi)(qi)的方位，RC 阻尼器(qi)(qi)可(ke)跨接在(zai)(zai)屏蔽繞組(zu)兩(liang)頭(tou)。

20.空間答應的(de)話在開關功率場效(xiao)應管(guan)的(de)漏極(ji)和門極(ji)之間放一個小徑向(xiang)引線電(dian)容(rong)器(qi)（米(mi)勒電(dian)容(rong)，10 皮(pi)法/1 千伏電(dian)容(rong)）。

21.空(kong)間答應的(de)話放(fang)一個小的(de) RC 阻尼器在直流(liu)輸出(chu)端。

22.不要把 AC 插座與初級開關管(guan)的散(san)熱(re)片靠在一(yi)同。